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02-04-01
晶體生長爐 KX360MCZ
設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)
1、應(yīng)用領(lǐng)域:輕摻、磁控;
2、在出現(xiàn)拉晶斷棱回熔以及硅料復(fù)投等非正常拉晶工藝時(shí)，都可從系統(tǒng)中選擇相應(yīng)的自動(dòng)工序來運(yùn)行;
3、配置國際領(lǐng)先品牌磁場，中心場強(qiáng)可達(dá)4000GAUSS，磁場分布均勻，利于生長高品質(zhì)半導(dǎo)體晶體。
1、應(yīng)用領(lǐng)域:輕摻、磁控;
2、在出現(xiàn)拉晶斷棱回熔以及硅料復(fù)投等非正常拉晶工藝時(shí)，都可從系統(tǒng)中選擇相應(yīng)的自動(dòng)工序來運(yùn)行;
3、配置國際領(lǐng)先品牌磁場，中心場強(qiáng)可達(dá)4000GAUSS，磁場分布均勻，利于生長高品質(zhì)半導(dǎo)體晶體。
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主要技術(shù)指標(biāo)
1、型號(hào):KX360MCZ;
2、爐室內(nèi)徑:Φ1400mm;
3、可拉晶體直徑:最大12英寸;
4、可裝熱場尺寸:36英寸;
5、裝料量:650kg。
設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)
1、應(yīng)用領(lǐng)域:輕摻、磁控;
2、在出現(xiàn)拉晶斷棱回熔以及硅料復(fù)投等非正常拉晶工藝時(shí)，都可從系統(tǒng)中選擇相應(yīng)的自動(dòng)工序來運(yùn)行;
3、配置國際領(lǐng)先品牌磁。行某∏靠紗4000GAUSS，磁場分布均勻，利于生長高品質(zhì)半導(dǎo)體晶體。
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