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PVT-RS-35(A/D)
碳化硅雙加熱器電阻式長晶爐
用于6/8/12英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設(shè)計允許靈活的工藝和熱場設(shè)置，上裝載結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)便捷的開裝爐及維護操作，同時設(shè)備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩(wěn)定優(yōu)良。
結(jié)構(gòu)緊湊省空間
用于6/8/12英寸導(dǎo)電和高純半絕緣型SiC晶體生長，多加熱器設(shè)計允許靈活的工藝和熱場設(shè)置，上裝載結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)便捷的開裝爐及維護操作，同時設(shè)備擁有高精度控溫、控壓能力，工藝性能穩(wěn)定優(yōu)良。
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產(chǎn)品特點
結(jié)構(gòu)緊湊省空間
結(jié)構(gòu)緊湊，可采用并排布局，提高廠房利用率。
雙控模式更節(jié)能
加熱控制方式可在功率或者溫度控制二種模式任意選擇。
獨立控制便于條紋
雙加熱器并獨立控制，便于調(diào)整溫度梯度。
滿足6/8吋晶體生長
滿足6/8吋半絕緣/導(dǎo)電晶體生長需求。
精準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)保溫均
籽晶軸旋轉(zhuǎn)功能，精度±0.01rpm，便于營造徑向溫度均勻環(huán)境，滿足厚晶體生長。
智能算法控精度
設(shè)備控制系統(tǒng)采用多種先進算法，控制精度高。
智能化
可根據(jù)客戶需求，定制長晶環(huán)節(jié)自動化生產(chǎn)線。
技術(shù)參數(shù)
| 型號 | PVT-RS-35(A/D) |
| 尺寸：整機長 x 寬 x 高 | 2600X3000X3800mm |
| 裝料方式 | 上部裝料 |
| 可選配置 | 熱場及基礎(chǔ)工藝包 |
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